Samsung заявила о намерении инвестировать в Южную Корею $18,6 млрд

Желание расширить производство компания связывает с общим ростом на мировом рынке спроса микрочипы. Samsung заявила, что к 2021 году намерена потратить 14,4 трлн вон ($12,6 млрд) для увеличения пропускной способности своего завода по сбору флеш-памяти V-NAND четвертого поколения в Пхентаки, который начал работу сегодня.

Samsung также планирует напривить 6 трлн вон ($5,26 млрд) на свой кластер по разработке микросхем памяти в Хвасоне. Кроме того, компания изучает возможность строительства в Южной Корее нового завода под технологию OLED к 2018 году. На эти цели будет потрачено одного триллиона вон ($0,88 млрд).

Помимо этого, в компании рассматривают возможность добавления производственной линии для производства полупроводников на своем китайском заводе в Сиане. Первая линия была построена в 2014 года и сейчас работает на полную мощность, объяснили в компании.

Благодаря новым инвестициям Samsung рассчитывает усилить свою глобальную производственную сеть и ускорить общее развитие IT-отрасли. Samsung подчеркивает, что последние тренды в отрасли – развитие интернета вещей, искусственного интеллекта, big data, автомобильных технологий — резко увеличили спрос на новейшую высокотехнологичную продукцию. Отраслевые источники и аналитики заявили, что более остро ощущается нехватка чипов NAND из-за увеличения использования высококачественных систем хранения информации, дата-центров и систем виртуальной реальности.

Специалисты считают, что увеличение производственных мощностей на рынке флэш-памяти может привести к слишком большим поставкам продукции в начале 2018 года, однако ценовой кризис маловероятен, поскольку производители смартфонов предпочитают закупать более емкие накопители.